三氧化钨是一种廉价和稳定的过渡金属氧化物，禁带宽度较低( 约2.6 － 2.7eV) ，具有较高的太阳光吸收效率，其光催化降解水中污染物活性较高，尤其对重氮染料降解显示出显著的催化能力，是继二氧化钛之后颇具潜力的n型半导体光催化剂。具有多种物相结构，如单斜、正交、立方、六方等结构，均表现出优异和独特的物理化学性质。三氧化钨纳米线为六方结构。

 

制备工艺

 

目前，制备三氧化钨纳米线的主要方法有水热法、溶胶－ 凝胶法、微乳液法、沉淀法等。以Na2WO4·2H2O 和HCl为原料，K2C2O4和K2SO4分别作为结构导向剂，通过水热法在150 ℃下反应12h，制备出三氧化钨纳米线，此纳米线为六方相三氧化钨纳米线。

 

K+对三氧化钨纳米线的生长有重要的结构导向作用。

 

网状结构的纳米线具有较高的比表面积，有利于提高三氧化钨纳米线的光催化活性。

K2C2O4作为添加剂水热合成的WO3纳米线的光催化活性高于以K2SO4为添加剂时所得的三氧化钨纳米线，这与三氧化钨纳米线的比表面积有关。

 

三氧化钨纳米线是一种独特的N型半导体材料，也是少数几种易于实现量子尺寸效应的氧化物半导体之一，在光催化、电致变色、光致变色、气致变色等方面表现出良好的特性，广泛应用于化学传感器、燃料电池、光电器件等领域。在负极材料和可充电锂离子电池中表现出巨大的应用前景。