MoS2与超导体结合，有望取代硅基芯片

近期，瑞士巴塞尔大学研究者表示向二硫化钼（MoS2）半导体材料中加入超导体，能使所制成的新材料拥有与硅晶体类似的特性，因而有望取代硅基芯片。

受“摩尔定律”影响，制程工艺的提升难度极大，目前的硅基芯片达到1nm的制程工艺已经是极限了。因此，要想继续提升芯片的整体性能，唯一的办法就是寻找可替代的半导体材料来解决这个问题。注意：摩尔定律是指IC上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。

具有与石墨烯层状结构相似的MoS2半导体材料因有优异的电学、光学、热学、磁学等性能，而被认为新一代的理想型芯片材料，不过它一定缺陷，如电荷依附会造成产品发热、耗能等情况，因此幷不适合目前的需求。

为了解决这个问题，瑞士巴塞尔大学研究者对二硫化钼材料进行分离，实现了每一个单独层的厚度不超过一个分子；后用氮化硼薄层覆盖在MoS2的两侧，同时加入一层氮化硼和一层石墨烯，在相结合之后便诞生了全新的半导体材料。

全新的半导体材料放置在二氧化硅晶片的顶部，在层层的堆积反应性下形成了新的材料。实验表明，在各种恶劣环境如超低温的状态下，这种材料依旧可以保持很好的强耦合性，是半导体材料所具备的特性。

该实验的成功，也充分证实了硅晶体可被超薄半导体材料替代的可能性，同时也意味着摩尔定律的极限有望被攻克，对于实现1nm芯片工艺提供了更多的可能性，未来全球半导体的发展方向或将有所改变。

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