单质钨膜的制备方法
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- 分类:钨专利技术
- 发布于 2013年7月31日 星期三 16:15
- 作者:Elva
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本发明提供一种单质钨膜的制备方法,其包括以下工艺:
将基体加热至100~150℃;然后在磁控溅射设备中,氩气环境下采用纯钨靶在基体上溅射沉积钨膜。
由本发明方法制备的单质钨膜纳米力学性能均匀优异,纳米硬度是钨块硬度的三倍以上,组织紧密,分布均匀,防护性能良好且钨膜晶粒较细,具有较多的晶界,与基体结合良好,从而更有利于进一步渗硫处理时得到WS2固体润滑薄膜,本发明所述磁控溅射方法操作简便,技术可靠,可适用广泛的薄膜制备。
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