调光器件用WO3薄膜
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- 分类:钨业知识
- 发布于 2021年2月04日 星期四 10:33
- 作者:Xiaoting
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为了有效提升新型调光器件的综合性能,有研究者表示可以使用WO3薄膜来代替TiO2薄膜,这主要是源于三氧化钨薄膜具有更为优秀的半导体效应、更好的光电转换性能和声致变色性能等特点。下面,我们一起来了解一下氧化钨薄膜的生产方法。
目前,氧化钨薄膜的制备方法常见的有溶胶-凝胶法、蒸发法、溅射法、离子辅助沉积法等。值得注意的是,反应磁控溅射法具有基片温升低、沉积速率适中、膜层均匀性及附着力好、膜厚工艺参数易控制等优点。
反应磁控溅射方法生产薄膜的具体步骤如下:
(1)选取纯度99.95%的金属钨靶,靶径65mm,溅射工作气体为氩气和氧气的混合气体,氧氩比1:1,工作气压1.0Pa,溅射功率5 w/cm2,基片和钨靶的距离7cm,溅射时间60 min,膜厚约为300 nm。
(2)基片分为普通玻璃和沉积有方阻为ITO 薄膜的玻璃,用洗涤剂去油后,依次用去离子水、丙酮、无水乙醇进行超声清洗10 min,然后用干燥的氮气将基片表面吹干。
(3)室温条件下沉积的WO3薄膜样品在大气氛围中进行不同温度的退火处理,升温速率为100℃/h,恒温处理时间为2 h,自然冷却,即可得到产物。
用普通玻璃为基片的薄膜进行X射线衍射和AFM 形貌检测,用ITO 玻璃为基片的薄膜进行紫外- 可见光透过率和循环伏安曲线检测。结果表明,室温条件下沉积的原始态薄膜,及退火温度200℃以下内的薄膜,基本保持着非晶结构,具有良好的Li+ 致色性能,薄膜的透光调控能力达到61.42%;随着退火温度的升高,薄膜开始晶化,Li+ 致色性能急剧下降。
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