研究人员总结了不同W基材料涂层制备方法对涂层组成和氧化行为的影响。可以看出，硅化物涂层主要由一个厚的WSi₂层和一个薄的W₅Si₃层组成。由于扩散温度相对较低，HAPC涂层需要更长的时间。在1100℃下处理4~15小时后，涂层的厚度只有30~60 µm。然而，使用CVD技术，在1200℃下沉积0.5~1小时，涂层的厚度可以达到50~80 µm。相比之下，HDS技术的涂层制备效率非常高。通过在1500℃下沉积0.25~0.42小时，可以得到厚度为36~88 µm的涂层。

WSi₂/β-SiC纳米复合涂层可通过两步化学气相沉积（CVD）工艺获得的。EPMA结果显示，碳化物涂层由WC层和W₂C层组成，相应的厚度分别为2和17µm。随后在1200℃下硅化30分钟，得到了厚度约为50µm的WSi₂层。

研究人员通过热浸镀硅法（HDS）在钨基材上制备Si-WSi₂涂层。HDS是在高温下，将固体渗源放入坩埚中，加热至完全熔化，并保持一定时间的温度。然后将加工好的样品慢慢放入坩埚中，通过基材和熔体之间的相互渗透在基材表面形成涂层。这种方法被认为是一种经济有效的涂层制备方法，它具有制备时间短、沉积温度高、涂层成分均匀、表面光滑、结构紧凑等特点。

W基合金表面的抗氧化涂层涂层技术是材料表面氧化保护的重要措施，已被广泛应用于难熔金属的氧化保护。其中，卤化物活化包固法（HAPC）、化学气相沉积（CVD）技术、热浸硅化（HDS）技术因其优良的工艺条件，在W基材料的氧化保护方面赢得了更多研究者的青睐。