a面氮化镓上由金属有机物汽相外延r面蓝宝石衬底上直接生长

 
 

我们通过金属有机汽相外延(MOVPE)法研究了非极性a面氮化镓的直接生长于R-平面蓝宝石衬底上。我们发现,蓝宝石衬底氮化镓的高密度成核生长在r面蓝宝石基板在高温生长的初始阶段没有缓冲层,这导致在a面氮化镓的平坦表面上。我们还研究了生长条件对表面形貌和a面氮化镓的生长特征的影响。结果表明,包围面逆三角形的凹坑形成在相对高的V / III比,和横向生长率沿c轴方向上以相对低的V/III比增强。

提出了以氮化镓的选择性外延延伸到横向过度生长,并采取增长各向异性的优势,产生应变自由的氮化镓晶体。通过选择性外延填充所述开口中的介电掩模后,横向过生长发生反射的各向异性生长。这允许具有非平面的几何形状的样品的制造。在选择性外延被直至岛聚结进行或者通过MOVPE或卤化物气相外延(HVPE ),金属有机物气相外延( MOVPE ),而横向过生长来实现。氮化镓外延层是用常压金属有机物气相外延在蓝宝石上首先生长。电介质膜是氮化硅。开口均采用标准的光刻技术来实现。这些开口露出自由的氮化镓表面,并通过MOVPE用于外延再生长,然后通过HVPE 。


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