超过铜大面积单层石墨烯/蓝宝石由常压CVD外延生长

常压化学气相沉积（CVD）生长的单层石墨烯的多结晶的铜薄膜异质外延沉积在c面蓝宝石。取向控制，外延单层石墨烯是实现以上所述铜薄膜在蓝宝石上，而多晶铜膜淀积在Si晶片上给出了非均匀的石墨烯具有多层薄片。此外，CVD温度被发现影响石墨烯的生长在Cu /蓝宝石基板的质量和取向。在CVD生长在1000℃下给出高质量外延单层石墨的六方晶格的取向与所述铜，它是由蓝宝石的晶体学方向来确定晶格匹配。在900℃下的CVD温度时，获得低质量的石墨烯具有增强拉曼D谱带，它显示了六边形格子的两个不同的方位; 1与Cu的晶格和另一个30°旋转相匹配。碳同位素标记实验表明表面吸附和在较高温度下气体供给碳原子的快速交换，从而在高度结晶的石墨烯与大力最稳定的方向与底层的铜晶格一致。

外延单斜双钨酸盐激光晶体生长与高结晶质量。基于这些掺Yb复合材料，激光手术被证明。一镱连续波激光发射： KYW / KYW晶体在1030nm实现。 25微米薄的Yb： KYW层泵浦在980纳米附近的波长由钛宝石激光器。在室温下获得40mW的最大输出功率。


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