存储器用氧化钨

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作为过渡金属化合物中较为出色的一种n型半导体材料,氧化钨超细粉末不仅能很好地用作新一代蓄电池电极材料的添加剂,还能用来制造存储器的存储介质。具体来说,存储装置是利用钨氧化物材料在电场作用下电阻值发生可逆转变而达到存储目的的半导体元件。

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地膜用纳米氧化钨

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据专家介绍,纳米氧化钨粉末之所以能成为新一代地膜的优选添加剂,是因为其不仅能显著升高薄膜的隔热效果和透光性,还能在很大程度上提高产品的耐腐蚀性和耐候性。另外,含有钨氧化物材料的薄膜产品具有无毒无味,环保健康的特点。

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制备纳米结构三氧化钨的影响因素

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在探索纳米结构三氧化钨合成的过程中,发现柠檬酸含量、水热合成前体系的pH值、水热反应的温度和水热反应的时间等,都会对产物产生较大的影响,因此下面将着重探讨对纳米结构WO3物相及形貌的几种影响因素。

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地膜用三氧化钨

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三氧化钨(WO3)超细颗粒除了能很好地用来生产钨粉、碳化钨粉、黄色陶瓷器、储能电池电极材料、防腐油漆和涂料外,还可以用来制造多功能性的地膜。与普通的农膜相比,含有氧化钨添加剂的农膜拥有更高的综合性能,主要表现在隔热效果更好,透光性能更优异。

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制备纳米三氧化钨的液相法

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在合成纳米三氧化钨的诸多方法中,液相法的应用最为广泛。它的优点是制备的纳米结构WO3颗粒细小、分布均匀,化学成分的含量可以得到精确的控制,可以通过调节形貌控制剂控制纳米结构WO3的形貌,合成工艺较简单,经济,利于实现批量生产,主要有如下四种方法:水热合成法,溶胶-凝胶法,沉淀法,微乳液法。

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