氧化钨纳米材料由于其优异的气体敏感性、光催化、电致变色等性能而被广泛研究。纳米结构三氧化钨 (WO3) 有望成为检测各种气体（NH3、H2S、NO2、CH3OH 等）的气体传感器的候选材料。

三氧化钨 (WO3) 是一种无毒的 n 型半导体，具有 2.4-3.6 eV 范围内的间接和一般宽带隙。因此，它是应用在工业、医学、科学和军事工程各个领域的绝佳材料。这种效果是由于氧化钨纳米结构及其复合材料的独特性能，如优异的耐热腐蚀性、良好的延展性、和高密度。

二氧化氮（NO2）作为典型的工业和汽车尾气，不仅会造成环境问题，还会影响人体健康。三氧化钨 (WO3) 是一种 n 型半导体氧化物，已被证明特别适用于检测 NO2 气体。因此，研究人员引入了一种三氧化钨多孔纳米片阵列 (PNA) 的制备方法及作为气体传感器的应用。三氧化钨多孔纳米片阵列通过简单的化学浴沉积制备且拥有强大的NO2 低温传感性能，在 100°C 的低工作温度下对 10 ppm 浓度 NO2可以实现 460的高响应。三氧化钨多孔纳米片阵列（WO3 PNA）的合成过程如下：