钛掺杂WO3电致变色薄膜

钛掺杂WO3电致变色薄膜可以通过溅射沉积法制备得到。有专家采用金属钨钛合金（含钛质量分数6%）作为靶材，使用镀膜机通过脉冲直流电源在FTO透明导电玻璃基底上反应溅射沉积了钛掺杂三氧化钨（WO3:Ti）薄膜。

更多内容请访问：
http://www.tungsten-powder.com/chinese/tungsten_oxide.html

溅射前，专家将镀膜腔室本底真空抽至低于4.5*10-4Pa，高纯氩气（99.9%Ar）作为工作气体，高纯氧气（99.9%O2）作为反应气体，固定工作气压1.7Pa，通入Ar流量15sc/cm，O2流量13sc/cm，通过改变基片温度分别为室温、200℃、300℃、350℃，沉积了不同基片温度的Ti掺杂三氧化钨薄膜，并探讨了不同基片温度对WO3:Ti薄膜结构与性能影响。

• < 上页
• 下页 >