氧化钨基薄膜应用于光存储方面

氧化钨的应用十分广泛，该材料的应用也集中在高密度和超高密度的存储材料方面。氧化钨作为一种过渡金属氧化物，具有很强的拉曼散射能力，可用谐振腔探测器来探测这种拉曼位移信号。由于谐振腔探测器的线很窄，若在基片上制备出含有多种过渡金属氧化物的混合膜，则用谐振腔探测器就可一次读出混合膜中所有过渡金属氧化物的拉曼位移信号，这将大大提高光存储密度，最为常见的氧化物薄膜就数氧化钨基薄膜。

有研究显示，氧化钨薄膜在短波长激光的作用下，能快速发生光色变化，其重要特点之一是载噪比高，例如当激光波长为532nm时氧化钨基薄膜的反射率约为93%，其他薄膜的反射率为35%。氧化钨基薄膜响应灵敏，写入速度快，仅需2ns，由此可见，氧化钨基薄膜的短波长一次写入光记录行为在速度和信号清晰度上都优于已有的无机或有机光存储材料。
 

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