钨掺杂对二氧化钨钒相变温度的影响

二氧化钒薄膜是一种新型热敏功能材料。它随着温度的升高在68℃左右会从单斜金红石结构的半导体转变为四方红金石结构的金属态，且电阻率和红外光透过率等物理性质也发生突变，基于这种特性，它被广泛应用于光信息存储、光电开关和智能窗等领域。但是由于二氧化钒的相变温度过高而不利于被广泛应用。经过研究发现在二氧化钒薄膜中掺入少量的钨离子可以有效的降低薄膜的相变点，这有利于二氧化钨钒薄膜能在更多领域被应用。
钨掺杂二氧化钒导致相变温度降低目前有两种解释，第一种是因为金属-半导体相变时由于晶格中心钒原子偏离氧八面体空隙的中心位置，当原子半径较大的钨取代钒时，八面体内没有多余的空间可以让钨原子偏离中心，从而稳定了二氧化钒的金属相。第二种解释是钨比钒多了两个d电子进入V_3d，使半导体相的禁带宽度减小。

 

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