二氧化钨钒薄膜结果分析

首先是二氧化钒（VO₂）的XRD和相变温度分析。通过XRD衍射图谱发现VO2薄膜结晶度不高，颗粒尺寸较小。而根据VO₂在相变时会发生电阻率突变的这一性质发现氮杂二氧化钨钒薄膜在62℃左右发生了相变，在这过程中电阻变化了几十倍，显示出明显的热值相变性能，相比较于粉体，相变温度降低了大约6℃。
进而比较采用微波等离子法通过氮杂制备的二氧化钨钒薄膜的XRD衍射图谱发现，它与VO₂的衍射图谱相比没有发生很大的不同。主要是钨的掺杂量较小，且V⁴⁺和W⁴⁺的离子半径很接近。VO₂通过氮掺杂可以有效降低其相变温度，当钨含量一定时，对样品的相变温度起作用的就是氮的掺入量。随着等离子增强掺杂还原反应过程中的氮气流量的改变，薄膜的相变温度发生了很大的变化，这说明氮离子已经掺入到了V_0.98W_0.02O_2-XN_Y晶格中，破坏了VO₂半导体的稳定性，从而使得相变温度发生变化。经实验发现，当H2流量为10ml/min，N2为10ml/min,反应总功率为1kPa,反应时间为10min时，所得的薄膜的相变温度可以降至35℃。

 

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