微波等离子体制备氮杂二氧化钨钒薄膜(2)
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- 分类:钨业知识
- 发布于 2015年6月29日 星期一 15:24
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二氧化钒(VO2)在68℃温度范围内容易发生相变,而这会导致VO2应用范围的限制。掺杂能有效改变VO2相变温度,使其的应用更加多样化,所以目前制备掺杂VO2的方法有很多。且经实验发现VO2薄膜也能进一步降低VO2粉体的相变温度。因此采用微波等离子法通过掺杂氮制备的二氧化钨钒薄膜的相变温度较低。在制取氮杂二氧化钨钒薄膜是以V2O5和W2O3为前驱物在玻璃片上镀膜,然后采用等离子体增强法合成氮杂二氧化钨钒。而V1.96W0.04O5胶体和镀膜的制备方法如下:
1.取一定量的分析纯V2O5粉末和W2O3放入钳锅中,搅拌均匀,置于马弗炉中在空气介质下加热至900℃熔融。
2.保温15分钟后,迅速将熔融的溶液倒入一定量的去离子水中急冷,剧烈搅拌,直至形成化学计量比的V1.96W0.04O5溶胶。
3.使用旋涂法,用75%的酒精和去离子水多次清洗过的玻璃上镀上已经制备好的V1.96W0.04O5溶胶。
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