CVD（化学气相沉积法）制备钨管的硬度（1）

详细资料: 分类：钨业知识; 发布于 2015年6月15日星期一 17:50; 点击数：1461

采用CVD（化学气相沉积法）制备钨管，具有相同管径等因素，沉积温度在500℃-700℃之间的沉积钨管沉积层的硬度测试结果显示，不同沉积温度制备所得的钨管的硬度均高于500HW。若是管径不同，则钨管硬度随着钨管直径的增加而降低；不同沉积温度制备所得的沉积层钨管的硬度随着距沉积基体距离的增加而降低。

对沉积层硬度变化的结果分析显示，该变化与沉积结束冷却过程产生的内应力和膜层晶体的生长有关。在基体内表面、膜层沉积生长的过程中，垂直于基体生长的柱晶相互挤压造成沉积层内具有较大的残余应力。钨管的半径越小，柱晶相互挤压造成的沉积层残余应力较大。在273-1273K范围内，钨、铜的平均线膨胀系数分别为4.4×10^-6K^-1、17.0×10^-6K^-1。沉积结束冷却过程，钨管体积收缩远小于铜基体，这将造成沉积钨管表面存在更大的残余应力。

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