CVD（化学气相沉积法）制备钨管的密度

采用CVD（化学气相沉积法），以WF₆和H₂为原料，沉积温度范围在500-700℃左右来制备钨管。

WF₆在和H₂发生化学反应后还原为钨原子，钨沉积层会沉积在沉积基体上。然后，获得沉积钨管的方法：可通过化学腐蚀或是在真空炉中将基体熔化。

采用浮力法测不同温度沉积钨管密度的结果显示，在不同的沉积温度下，钨管都具有高密度：>19g/cm³。随着沉积温度的升高，还原过程加快，沉积生长界面上经还原的钨原子会进一步生长，这将导致显微组织晶粒明显细化和沉积层生长方向趋于杂乱，最终导致沉积层密度有所降低。


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