CVD（化学气相沉积法）制备钨管的纯度

CVD是一种气相生长方法，用来制备材料，它是在放有基材的反应室内通入一种或几种含有构成薄膜元素的单质和化合物气体，借由空间气相化学反应在基体表面上沉积固态薄膜的技术。

沉积温度控制在500-700℃，以WF₆和H₂为原料，采用CVD来制备钨管。

WF₆和H₂相互作用并还原为钨原子，然后，钨沉积层会沉积在沉积基体上。之后，沉积钨管可通过化学腐蚀或是在真空炉中将基体熔化获得，其尺寸精度可控。

对钨管进行X射线荧光扫描分析结果表明，采用CVD制得的钨管纯度高。具体体现为：沉积膜层中，钨的含量不小于99.7％。


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