半导体存储器用纳米氧化钨

半导体存储器之所以选用纳米氧化钨材料来生产储存介质，是因为它是一种非常重要的半导体材料，具有良好的电化学性能，幷且在电场作用下其电阻值能发生可逆转变。下面，我们一起来了解一下基于氧化钨存储元件的存储装置的制造方法。

制造方法（一）

存储装置包括插塞，插塞从基板的顶表面向上延伸穿过一介电层；底电极，底电极的外表面具有钨，底电极从插塞的顶表面向上延伸；绝缘材料，绝缘材料环绕底电极幷且与底电极的外表面的钨接触；存储元件，位于底电极的上表面，存储元件包括一氧化钨化合物，且存储元件可编程为至少两种电阻态；以及顶电极，顶电极上覆幷接触存储元件。另外，插塞具有第一侧向尺寸，底电极具有侧向尺寸，侧向尺寸平行于插塞的第一侧向尺寸，且侧向尺寸小于插塞的第一侧向尺寸。

制造方法（二）

钨氧化物存储部是使用非关键掩膜氧化钨材料形成，或者在部分实施例中不需要任何掩膜亦可形成。在此揭露的存储器装置包括底电极及存储器元件，且存储器元件位于底电极上。存储器元件包括钨氧化合物且其有两种以上的电阻状态；上电极包括阻隔材料，位于存储器元件上，且此阻隔材料的目的是为了避免金属离子从上电极移动到存储器中。

相对于传统的半导体储存器来说，氧化钨存储元件拥有更好的响应性能。

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