新型纳米氧化钨有吸收近红外光性能

纳米氧化钨是一种具有诸多特性的多功能半导体功能材料。截止至今，人们对新型纳米氧化钨子的电学性能、光催化，气敏特性等有较多研究，但对纳米氧化钨及其复合半导体纳米粒子相关内容偏少。

氧化钨半导体的禁带宽度为2.6～2.8eV，因此具有比较短的截止波长。经过大量的实验测试，半导体材料的表面等离子共振能对特定波长的光产生吸收。对氧化钨纳米粒子进行一定的还原处理或增加第三相阳离子，能够在其表面积聚大量的自由电子，从而使其具有等离子共振吸收近红外光的特性。由于氧化钨在缺氧条件下能生成稳定的亚氧化钛相，以及在引入阳离子时能形成稳定的立方与六方钨青铜矿结构。因此，当通过还原处理后能引入大量自由电子时，氧化钨及其复合物仍然具有稳定的结构和物化性能，并在长时间阳光照射下能保持吸收性能的稳定，所以新型纳米氧化钨有吸收近红外光性能。

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