氧化钨陶瓷掺杂七氧化四铽

图为不同浓度七氧化四铽掺杂烧结的氧化钨陶瓷样品的SEM图。可以看到掺杂七氧化四铽能够使得陶瓷的晶粒尺寸明显增大，晶粒间的空隙明显减少，说明掺杂七氧化四铽有助于氧化钨陶瓷的烧结。

掺杂七氧化四铽的氧化钨陶瓷，其晶界有析出物。析出物的元素所含的Tb：W：O的原子数量之比为7.41：14.10:78.49。图为氧化钨陶瓷的晶粒尺寸和致密度随七氧化四铽掺杂浓度变化的曲线。可以看出掺杂七氧化四铽使得氧化钨陶瓷的致密度也有所提高，但是致密度随七氧化四铽掺杂浓度的增加基本不变。掺杂0.1mol七氧化四铽时，其晶粒尺寸最大，然后随着掺杂Tb浓度的增加，其晶粒尺寸有所减小。掺杂七氧化四铽浓度提高时，第二相在晶界析出，说明晶界第二相阻碍了晶粒的生长。微量掺杂七氧化四铽能够促进氧化钨陶瓷晶粒生长和致密化，这与高温烧结阶段七氧化四铽促进氧化钨陶瓷氧空位的生成浓度有关。

如果有相关反应发生，则氧化钨陶瓷中的氧空位浓度将会大大增加，从而促进氧化钨陶瓷中氧原子的传输，并带动钨原子的传输，使得氧化钨陶瓷晶粒长大。从氧化钨陶瓷的晶粒的生长和致密化，可以认为上述反应在高温烧结阶段发生了，但是氧空位对氧化钨陶瓷的电学性能有很大的影响。

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