氧化钨陶瓷烧结过程各因素的影响

真空、氮气气氛等缺氧气氛烧结使陶瓷中产生大量氧空位，但是由于氧原子缺失，晶面间距增大，使氧化钨的XRD衍射峰对应角度向小角度移动。这可能是氧化钨陶瓷在室温下为两相共存或多相共存的原因。另外，缺失的氧原子得不到补充，使得晶粒生长和致密化受到抑制。缺氧气氛烧结的氧化钨电导率较高，导电行为符合欧姆定律。

将在缺氧气氛烧结的陶瓷再放置到空气或氧气气氛中第二次烧结，能够使氧化钨陶瓷的晶粒重新生长，使氧化钨陶瓷的致密度得到提高。在此过程中，晶界吸附的中性晶格氧与陶瓷中的电子结合，形成带负电荷的晶格氧离子。由于在烧结过程中，氧化钨材料中有大量氧空位，使得晶界能够吸附超过化学计量比的氧元素。氧离子半径较大，移动能力差，从而在晶界积累起来，在晶界形成一面带负电荷的势垄，而周围晶格中电子因为与中性晶格氧结合，则形成一定宽度的电子耗尽层。这样氧化钨陶瓷晶界形成肖特基势垒，出现压敏特性。缺氧气氛烧结的氧化钨再放置到空气或氧气气氛中第二次烧结得到的陶瓷样品，压敏电阻明显增大，漏电流减小，非线性系数增大。

氧化钨压敏陶瓷在老化实验过程中出现的漏电流减小，压敏电压增大等现象与其势垒中的缺陷有关。中性的晶格氧与电子的结合能力较强，使得氧化钨陶瓷在空气或富氧气氛中能够吸附氧原子，形成吸附氧离子，使得势垒高度增加，从而出现上述现象。以往实验中出现的氧化钨电学特性重复行为差等现象可能与此有关。氧化钨陶瓷的压敏特性随温度升高迅速减弱，这与晶界氧离子解吸附有关。

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