氧化钨无机物活化

用无机物对氧化钨进行活化，可以降低传感器工作温度，提高其对各类气体的响应特性。这是由于氧化钨和多孔硅碳纳米管复合相互结合时会出现异质结。这样的异质结构能有效提高响应特性，而多孔硅、碳纳米管能提供更多的气体吸附位点，进而提高响应特性。

多孔硅作为一种常见的材料，时常将氧化钨纳米粒子浸沾到多孔硅上。通过溶胶-凝胶法合成氧化钨，并将它沉积到多孔硅上，这样合成的传感器在室温条件下对于二氧化氮有很好响应，并且可以检测其气体。将氧化钨纳米粒子沉积到多孔硅上，由于在结合面合成异质结，其响应特性显著提高。在室温条件下，对二氧化氮的灵敏度可以达到3.37。相较纯多孔硅以及在检测温度为150℃下氧化钨纳米气敏层，其灵敏度有显著提升。通过将含有氧缺陷态的氧化钨溅射到多孔硅基板上制备室温二氧化氮传感器，也发现异质结的现象，极大提高了响应特性。

多孔硅给二氧化氮提供了更多的气体吸附位置，加快了响应和恢复速度，加上存在着较多的氧空位以及p-n异质结，在室温下对二氧化氮灵敏度为6。通过这种方式制备得到的氧化钨传感器在室温下也显示出 p 型半导体传感器的响应特性。由于它具有较大的比表面积、p-n 异质结以及存在较多的氧空位。

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