氧化钨陶瓷压敏性能

1994年，首次发现掺杂氧化钨压敏陶瓷具有压敏特性。由于具有较低的压敏电压，氧化钨压敏特性引起关注。之后又报道了氧化铝等掺杂剂对压敏特性的影响。但是大量研究表明，氧化钨压敏陶瓷的压敏特性极不稳定，如电学行为重复性差、出现负电阻行为等，而且非线性系数相比于氧化锌小很多。因此，在最近十年，国外对氧化钨压敏陶瓷的研究报道很少，但是将氧化钨压敏特性用在气体传感器方面的研究报道很多。

国内对压敏氧化钨压敏陶瓷进行的研究主要是掺杂改善压敏氧化钨压敏陶瓷的非线性系数。但是稀土元素、碱金属元素、二价金属元素以及过度元素掺杂，并不能像它们对那样改善氧化钨压敏陶瓷的非线性，甚至有的还降低了其压敏性能。由于氧化钨压敏陶瓷不进行掺杂，也具有压敏特性。为研究其晶界的势垒模型提供了一个相对不复杂的缺陷环境。

现在主要的研究是建立压敏特性机理模型，根据模型改善氧的压敏特性。氧化钨晶界势垒是氧化钨压敏陶瓷在冷却过程中在晶粒内外发生的非平衡缺陷的产生和迁移。继而在氧吸附的作用下在晶粒表面形成的高电阻率层。由于这种晶粒内外巨大的电阻差异，氧化钨压敏陶瓷能够产生非线性电学特性。压敏特性随着氧化钨压敏陶瓷在高温阶段的保温时间增加而减弱。其模型的一个推论是，随着保温时间的延长，晶粒表面应该氧化程度更高，晶粒内外的电阻差距应该更大，压敏特性应该更明显。

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