氧化钨陶瓷晶粒生长

因为氧原子的半径较大，移动能力较差，所以在氧化物陶瓷的烧结过程中，氧原子的传输速率大小决定了氧化钨陶瓷的烧结性能。

氧化钨陶瓷的物质传输是以氧原子先移动到一个位置后，周围的钨原子来与氧原子组合形成新的氧化钨晶格。在这个不断循环的过程中，氧化钨晶粒慢慢长大。如果有氧空位形成，这样氧原子通过氧空位就会更快的移动，从而使物质传输速率变大。

在保温时间相同的情况下，纯氧化钨陶瓷的晶粒在1000℃以下生长很缓慢。说明物质传输速率较慢。结合缺陷方程可以认为在1000℃以下，氧化钨陶瓷中的氧空位少于在1000摄氏度以上所保温的氧化钨陶瓷。从而在一定程度上影响了其氧原子移动速率，最终从宏观上影响了其晶粒生长。随着温度的升高，氧化钨晶格内的氧空位浓度增加，使得氧原子移动速率变大，导致物质传输变快，因此，氧化钨陶瓷的晶粒在1000℃以上快速生长。在固相烧结中晶粒的生长必然减慢其致密化过程。可以看出氧化钨的致密度在1100℃最好，但是也只有82%左右。相比氧化锌压敏陶瓷90%以上的致密度，纯氧化钨陶瓷的致密度很差。

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