氧化钨陶瓷伏安曲线

下图是不同保温温度下烧结的氧化钨陶瓷的伏安特性曲线。通常压敏电阻的电学非线性行为发生在电流密度为1-10mA的区域。从图中我们可以看出在1050℃1100℃下和保温两个小时的氧化钨陶瓷，在电流密度为1-10mA的区域有非线性的伏安曲线。即表现出压敏特性。

而其他温度下保温的氧化钨陶瓷则均为线性的伏安曲线，符合欧姆定律。其他保温温度下的氧化钨陶瓷，在电流密度为1-10mA区域内没有非线性的电学性质。在电流密度为10-100mA的区域内，它们均表现出非线性的电学性质。由于氧化钨压敏陶瓷的非线性电学特性来源于晶粒晶界电阻的巨大差异，所以900℃、950℃、1000℃、1150℃保温下的烧结的氧化钨陶瓷，其晶粒晶界电阻也有差异，也具有非线性电学特性。但是按照压敏电阻中相关参数的定义，伏安曲线出现转折的地方定义为转折电压，电压所对应的电流即为漏电流，由图可以看出，900℃、950℃、1000℃、1150℃保温下烧结的样品漏电流很大，大概是1050℃和1100℃°下保温样品的10倍。

900℃、950℃、1000℃、1150℃保温下烧结的氧化钨陶瓷作为压敏电阻时，消耗的电能将会很大。虽然1050℃保温的氧化钨陶瓷的电学参数和1100℃°保温的氧化钨陶瓷的基本相近，但是1050℃保温的氧化钨陶瓷致密性较差。

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