保温温度对氧化钨陶瓷的影响

从图中可以明显的看出随着保温温度提高，氧化钨陶瓷的晶粒尺寸在增大。保温温度为900-1000℃时，样品中还有很多小尺寸的晶粒；保温温度为1050-1150℃时，氧化钨陶瓷中的小晶粒消失，晶粒显著增大。同时发现，在1150℃保温的氧化钨陶瓷，晶粒尺寸虽然较大，但是孔隙也明显变大，氧化钨陶瓷的致密性变差。

保温温度对样品晶粒尺寸和相对密度的影响如图所示。从图中我们可以看到在900-1050℃保温两个小时的氧化钨陶瓷晶粒尺寸虽然略有增大，但是相对密度却没有明显变化。这说明在上述温度段，氧化钨陶瓷的晶粒生长开始，但是致密化还没有开始或致密化速率很小。

在1100℃保温两个小时的氧化钨陶瓷样品拥有最好的相对密度，晶粒尺寸也比较大。晶粒生长和致密化源于晶界的物质传输。在固体材料中发生的每一种传质现象和反应过程均与氧化钨晶格中的各种缺陷相关，而且传质系数或反应速率常数直接与原子缺陷的种类和浓度有关，通常，固相中的原子缺陷越多，其相应的传质能力就越大。氧化钨是氧空位为主要缺陷的N型半导体，在一定温度下氧离子离开格点，形成氧空位。

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