三氧化鎢（WO₃）氣敏材料由於對NO_x、NH₃等氣體靈敏度高、回應時間和恢復時間短、易於測量與控制、價格低廉等優點而被認為是最具應用前景和發展前途的氣敏材料之一。然而，純WO₃氣敏感測器存在著工作溫度高（250°C左右）的缺點，增加了傳感系統集成化、微小型化的複雜性和不穩定性，為此降低WO₃氣敏感測器的工作溫度成為了研究重點。

 

為此，多孔矽引起了研究員的關注，其表面通過腐蝕形成的具有大比表面積的多孔性疏鬆結構，具有很高的化學活性，對氨氣具有敏感特性，是一種很有潛力的新型室溫氣敏材料。但是，多孔矽存在靈敏度略低、反應速度慢、恢復時間長等缺點。為此，有研究指出一種多孔矽基底WO₃納米薄膜氣敏感測器，是一種具有較高靈敏度的新型室溫氣敏感測器，綜合了多孔矽和WO₃的優勢，兩者相輔相成，具有工作溫度低（室溫）、靈敏度高的特點。

 

多孔矽基底WO₃納米薄膜氣敏感測器的製備步驟如下：

1. 採用雙槽電化學腐蝕法在單面拋光的ρ+單晶矽片表面製備多孔矽層基底；

2. 將多孔矽層基底置於超高真空對靶磁控濺射設備的真空室，以純鎢為靶材進行磁控濺射，製備多孔矽基底WO₃納米薄膜；

3. 將制得的多孔矽基底WO₃納米薄膜置於400～600℃高溫加熱爐內進行退火處理；

4. 再進行鍍電極，制得多孔矽基底WO₃納米薄膜氣敏感測器。