溫度穩定性對應用於電子產品的多層陶瓷電容器的製備來說非常重要。通過兩種或更多的具有相反介電常數溫度係數（τ ε）的多元化合物混合，產生較小介電常數溫度係數的固溶體，這種方法經常用來實現材料的溫度穩定性；或者，例如對於BaTiO₃基電容器， 摻雜劑混合分散於陶瓷體產生室溫附近的鐵電-順電相轉變，得到了相對穩定的材料。目前，BaTiO₃基化合物滿足X7R標準，其介電常數在-55℃〜125℃溫度範圍內相對於室溫介電常數的變化率不超過±15%，在1MHz下的介電損耗tan σ小於0.02。但是如果不摻雜 PbTiO₃（Tc = 495℃ ），它們的最高工作溫度不超過130℃。

 

小型化的驅動和電腦的提速使更多的目光轉向到耐高溫部件，將來電容器必須能在150℃甚至200℃工作。然而，PbTiO₃-BaTiO₃複合多層陶瓷電容器的應用是不可取的， 一是1¾的毒性，二是在低氧分壓容易分解，並且它還會和Ni基金屬電極形成低熔點合金。 同樣的問題也出現在Bi₂O₃摻雜的BiTiO₃基固溶體中。理想的新材料要求其相變溫度介於-50℃〜250℃，不含PbO和Bi₂O₃，包含相對常見的、便宜的原材料。

 

近來，國內外研究者發現一些鎢青銅結構鉭酸鹽具有較高的介電常數（>100）、 低的介電損耗，有望成為溫度穩定型介電材料而應用於多層陶瓷電容器，其中該系列陶瓷的介電常數ε r介於127〜175之間，IMHz下的介電損耗tan σ小於0.009，介電常數溫度係數τ ε介於-7¾〜-2500ppm/℃之間。但目前這些鎢青銅結構鉭酸鹽的介電常數溫度係數偏大，介電常數偏低，因此限制了其實際應用。