多表面缺陷氧化鎢納米氣敏材料製備

在半導體氣敏材料研究領域，氧化鎢（WO₃）因其易於調控，選擇性強、穩定性好、靈敏度高、氣敏工作溫度低等優點，成為近年來納米氣敏材料的研究重點。

WO₃表面的氧空穴可以成為導帶的電子授體，從而使該材料成為 n型半導體。因此，在實際應用中，通過增加氧化鎢納米材料的比表面積和表面缺陷，可以提高其氣敏性能。

目前有多種方法可以提高比表面積或者表面缺陷，例如製備納米空心球、海膽狀 納米顆粒、納米線、介孔納米材料等方法，上述方法主要是通過納米結構的調整來提升比表面積以及表面缺陷，進而提升氣敏性能。

為克服現有技術的不足，有學者提出一種多表面缺陷氧化鎢納米氣敏材料的製備方法，其特徵在於，包括以下步驟：

1. 將2g六氯化鎢溶於100ml 0℃無水乙醇中，磁力攪拌至全部溶解，之後再緩慢加入10ml去離子水，在0℃環境下攪拌30分鐘，然後再50℃水浴中攪拌24小時；

2. 將步驟1所述溶液冷卻0℃；

3. 將1g六氯化鎢溶於10ml 0℃無水乙醇中，磁力攪拌至全部溶解，然後倒入步驟2所述溶液中；

4. 將步驟3中製備的溶液轉移到反應釜中，密封，然後將反應釜置於，在180℃下反應 12小時，然後冷卻至室溫。

5. 將步驟4所製備的粉末，離心、洗滌，烘乾。

所得到的納米WO₃顆粒為橢圓狀納米顆粒，表面有豐富的缺陷結構，其表面具有大量的超氧自由基，大大提升了其氣敏性能，將其分散塗於六腳陶瓷管氣敏測試元件上，利用氣敏元件測試系統測試對丙酮氣體的響應，測試溫度為180℃，可發現其對1ppm以下有明顯的回應，具有良好的靈敏度和選擇性。

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