氧化鎢陶瓷晶粒生長

因為氧原子的半徑較大，移動能力較差，所以在氧化物陶瓷的燒結過程中，氧原子的傳輸速率大小決定了氧化鎢陶瓷的燒結性能。

氧化鎢陶瓷的物質傳輸是以氧原子先移動到一個位置後，周圍的鎢原子來與氧原子組合形成新的氧化鎢晶格。在這個不斷迴圈的過程中，氧化鎢晶粒慢慢長大。如果有氧空位形成，這樣氧原子通過氧空位就會更快的移動，從而使物質傳輸速率變大。

在保溫時間相同的情況下，純氧化鎢陶瓷的晶粒在1000℃以下生長很緩慢。說明物質傳輸速率較慢。結合缺陷方程可以認為在1000℃以下，氧化鎢陶瓷中的氧空位少於在1000攝氏度以上所保溫的氧化鎢陶瓷。從而在一定程度上影響了其氧原子移動速率，最終從宏觀上影響了其晶粒生長。隨著溫度的升高，氧化鎢晶格內的氧空位濃度增加，使得氧原子移動速率變大，導致物質傳輸變快，因此，氧化鎢陶瓷的晶粒在1000℃以上快速生長。在固相燒結中晶粒的生長必然減慢其緻密化過程。可以看出氧化鎢的緻密度在1100℃最好，但是也只有82%左右。相比氧化鋅壓敏陶瓷90%以上的緻密度，純氧化鎢陶瓷的緻密度很差。

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