新加坡國立大學（NUS）領導的研究小組已經開發出一種提高二維半導體二硒化鎢光致發光效率的方法，為先進的光電子和光子器件等半導體的應用鋪平了道路。研究團隊由NUS理學院物理系Andrew Wee教授帶領，將二硒化鎢添加到帶有溝槽的金基板上，提高納米材料的光致發光率達20000倍。這一技術突破為二硒化鎢這一新型半導體材料的先進應用創造了新機遇。

 

這項工作的關鍵是金電漿納米陣列模板的設計。在系統中，通過改變泵浦激光器的結構間距，利用不同激光波長調諧共振達到匹配。實現以實現最佳的場約束光等離子體激元耦合。這是首次證明金電漿納米結構能夠提高二硒化鎢光致發光效率的工作。

 

二硒化鎢是一種單分子厚的半導體，是一個新興的過渡金屬硫化物（TMDCs）材料，它能將實現光電互轉換，使他們成為光電器件如薄膜太陽能電池、光電探測器柔性邏輯電路和傳感器的有實力的潛在候選人。然而，其原子薄的結構降低了其吸收光譜和光致發光性能，從而限制了其實際應用。