藍寶石襯底的影響進程的LED發光效率

最近，氮化鎵基藍光和近紫外光LED被廣泛的研究在新興的固態照明產業的關鍵技術。光提取效率（LEE）是在制造高亮度的非常重要的因素，高效率的氮化鎵基發光二極管（LED） 。如眾所周知的，在氮化鎵之間的折射率的差大（ 2.40 ）和空氣引起的狹窄的逃逸錐在氮化鎵晶體的光。一個最常用的方法是在接口，如最近的圖案化藍寶石襯底（PSS）和PSS LED的效率增加粗糙度或紋理被認為是光散射的PSS的結果。黃等開發了側壁成形和截短的倒金字塔（ TIP）的成形技術來增加氮化鎵LED的外量子效率（EQE ） 。

倒裝芯片技術也廣泛研究，因為在熱傳導以其優異的性能和EQE這些年來。但在後端進程藍寶石襯底工藝的影響是很少考慮的。在這項工作中，氮化鎵系LED的提取效率和藍寶石基板的幾個參數之間的關系進行了研究，包括厚度，粗糙度和包裝方法。首先，藍寶石基片的後端工序的厚度進行了研究。選擇一個更好的藍寶石厚度後，我們只使用一個研磨過程和底面周期性圖案通過幹法蝕刻技術，以提高外部量子效率開發的粗糙度的方法。在藍寶石襯底上的底表面的不同表面結構進行了分析上的幾何射線跟蹤模擬計算，並與實驗結果進行比較。


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