AlN的觀點高速外延生長的MATHML源通過氫化物氣相外延

藍寶石氮化鋁（ALN）外延層基片生長于高溫度高於查看MATHML源通過氫化物氣相外延（HVPE）。一種高溫生長系統通過結合傳統的熱壁型爐內，加熱基座具有集成加熱元件構建的。該系統通過HVPE上面查看MATHML源即使在石英反應器實現了AlN的增長。 AlN的增長率保持不變在查看MATHML源的溫度範圍內。這一結果與熱力學分析預期的結果相一致，並表示AlN的通過HVPE生長已受到大眾運輸有限過程，即使在高溫下。 AlN的美景增長率外延生長的MATHML來源是在查看MATHML源實現的。

CW氬鐳射照射（鋰）下退火行為已經被研究了0.2-0.5-μm厚的矽 - 藍寶石（SOS）外延片。分析由兆電子伏赫+竄表明李在固相下，Si-植入薄膜，它有一個埋非晶層beneth≈30後表面的晶系，成為結晶性，但更缺陷比原來的化學汽相澱積（CVD）電影。相反，類似的層的爐退火顯著降低表面晶體以下缺陷濃度，相比於CVD SOS的缺陷水準。在液相CVD或Si-植入SOS李降低了缺陷濃度在整個膜的厚度，但再生長膜是橫向不均勻，並具有高的鋁含量。


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