利用紫外可見光譜可以對鎢青銅的組成含量和結構進行分析測定，圖1為Ta_xWO₃ 樣品的紫外漫反射光譜，由圖可知Ta_xWO₃ 晶體的主要吸收峰在450~500nm之間，對紫外光有明顯的吸收，有清晰的吸收帶邊，其吸收帶邊位置可由吸收帶邊上的拐點確定。隨著鉭摻雜量的增大，吸收峰的位置發生了紅移，吸收強度增強，可能由於氧化鎢晶體結構中引入低價離子鉭，在材料內部產生氧空位，且隨著鉭摻雜量的增大，氧空位的比例增大，導致鉭摻雜氧化鎢的光吸收特性不同。

 

不同鉭摻雜量製備的氧化鎢的吸收帶邊值略有差別，由半導體光吸收閥值λg 與帶隙能Eg 的關係式(1)，可算出鉭摻雜氧化鎢的能帶隙。圖2給出了鉭摻雜氧化鎢能帶隙隨鉭摻雜量的變化關係。由圖可見，隨著鉭摻雜量的增大，能帶隙逐漸減小，由未摻雜的氧化鎢的能帶隙為3.17keV逐漸減小為2.74keV。Ta_xWO₃ 吸收波長發生了紅移主要來自於Ta離子的摻雜效應，由於Ta離子在導帶與價帶之間形成了新的雜質能級，從而降低了電子躍遷的能隙。