氧化鎢陶瓷伏安曲線

下圖是不同保溫溫度下燒結的氧化鎢陶瓷的伏安特性曲線。通常壓敏電阻的電學非線性行為發生在電流密度為1-10mA的區域。從圖中我們可以看出在1050℃1100℃下和保溫兩個小時的氧化鎢陶瓷，在電流密度為1-10mA的區域有非線性的伏安曲線。即表現出壓敏特性。

而其他溫度下保溫的氧化鎢陶瓷則均為線性的伏安曲線，符合歐姆定律。其他保溫溫度下的氧化鎢陶瓷，在電流密度為1-10mA區域內沒有非線性的電學性質。在電流密度為10-100mA的區域內，它們均表現出非線性的電學性質。由於氧化鎢壓敏陶瓷的非線性電學特性來源於晶粒晶界電阻的巨大差異，所以900℃、950℃、1000℃、1150℃保溫下的燒結的氧化鎢陶瓷，其晶粒晶界電阻也有差異，也具有非線性電學特性。但是按照壓敏電阻中相關參數的定義，伏安曲線出現轉折的地方定義為轉折電壓，電壓所對應的電流即為漏電流，由圖可以看出，900℃、950℃、1000℃、1150℃保溫下燒結的樣品漏電流很大，大概是1050℃和1100℃°下保溫樣品的10倍。

900℃、950℃、1000℃、1150℃保溫下燒結的氧化鎢陶瓷作為壓敏電阻時，消耗的電能將會很大。雖然1050℃保溫的氧化鎢陶瓷的電學參數和1100℃°保溫的氧化鎢陶瓷的基本相近，但是1050℃保溫的氧化鎢陶瓷緻密性較差。

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