CVD法制氧化鎢異質結

製備氧化鎢異質結最常用的方法就是化學氣相沉積法(CVD)。CVD 法的基本原理是在氧化鎢基底上生長一種二維晶體，然後在此基礎上生長不同的二維材料，從而形成二維異質結構。其主要的操作流程是將反應物以氣體的形式通入反應容器中，之後發生化學反應後以固體的形式沉積在基底上。

CVD法是半導體工業中應用最為廣泛的、用來沉積多種材料的技術，包括大範圍的絕緣材料，大多數金屬材料和金屬合金材料。其原理為兩種或兩種以上的氣態原材料導入到一個反應室內。之後兩者相互之間發生化學反應，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。CVD 法不僅可以實現對氧化鎢異質結中堆疊取向的控制，而且還可以修飾單分子層的原子組成。

氧化鎢異質結是兩種不同的半導體相接觸所形成的介面區域。通常形成氧化鎢異質結的條件是：兩種半導體有相似的晶體結構、相近的原子間距和熱膨脹係數。利用介面合金、外延生長、真空澱積等技術，都可以製造氧化鎢異質結。氧化鎢異質結常具有普通氧化鎢不能達到的優良的光電特性，使它適宜於製作超高速開關器件、太陽能電池以及半導體雷射器等。

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