氧化鎢橫向異質結

氧化鎢橫向異質結構原則上是通過在第一種材料的現有區域的邊緣處連續生長第二種材料。通過在氧化鎢二維晶體生長過程中對其氣相反應物原位調節的方式，能夠製備得到氧化鎢橫向異質結結構。Raman和光致發光映射的表徵表明其具有清晰的結構和光學調製。

透射電子顯微鏡和元素影像表明具有相反調製氧化鎢結構沿介面分佈。根據氧化鎢二維材料屬性的不同，氧化鎢二維異質結材料也可以分為三種類型，即氧化鎢基二維異質結材料、絕緣體基二維異質結材料和氧化鎢導體異質結材料。

而在氧化鎢二維半導體異質結中，根據半導體之間帶隙和電子親和能的差異，半導體異質結可以分為三種類型Type-Ⅰ型、Type-Ⅱ型和 Type-Ⅲ型。在氧化鎢 Type-Ⅰ型半導體異質結中，半導體1的價帶高於半導體2，而其導帶低於半導體2，這樣電子和空穴都會轉移且積累在半導體 1；在氧化鎢 Type-Ⅱ型半導體異質結中，半導體2的價帶和導帶的位置均高於半導體1的價帶和導帶，且價帶和導帶的“臺階”沿著相同的方向。更重要的是半導體1和2之間的化學勢差導致結的介面處形成一個能帶彎曲。而這個能帶彎曲效應會誘導一個內建場，驅動光生電子和空穴向相反的方向遷移，這樣光生電子和空穴會分佈在異質結的不同側面，實現其空間分離。因此，構建Type-Ⅱ型異質結是一種提高電荷分離的有效方法，可極大提高光催化降解活性和水分解效率。在 氧化鎢Type-Ⅲ型半導體異質結中，半導體2的價帶都高於半導體1的導帶，這樣給予了更高的電荷轉移驅動力。

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