鏑，鑭摻雜的氧化鎢陶瓷都具有相當高的介電常數。一般認為，在這些氧化物陶瓷的晶粒與晶粒間存在高阻態的絕緣層，即形成所謂的晶界層勢壘電容器，因此具有高的介電常數。

鏑摻雜的氧化鎢中，晶粒－晶粒間存在勢壘，因此氧化鎢的介電常數也可以用晶界層勢壘電容器模型來解釋。但對於鑭高含量摻雜的樣品，晶界電阻小，勢壘消失，但同樣具有幾乎一樣高的介電常數。這顯然不能用晶界層勢壘電容器模型來解釋。

由於金剛石的優良性能，可將氧化鎢沉積生長在p型金剛石的襯底上。能夠得到pn型異質結，深入地研究了其電學性能和光催化性能。這一方向具有重要的價值和意義，已經成為了國際上的一個研究熱點。

使氧化鎢作為低壓電容－壓敏電阻材料在實際中應用，必須解決好其電學穩定性的問題。以前的研究工作表明,三氧化鎢的電學性能是不穩定的，高電場情形時存在嚴重的電學退化問題，恒電壓下電流隨時間衰減，有嚴重的滯後現象,妨礙了其作為壓敏電阻材料在實際中的應用。

稀土摻雜作為改良氧化鎢性能的一種新型方法，其在製造業、工業等應用領域上有著較為廣泛的開發前景。簡單的稀土摻雜，能夠使得具有良好壓敏性能的氧化鎢製備工藝變得簡單，其相結構的簡單化能夠更加容易分析其電性能的物理機理。