鎢新聞

藍寶石單晶氧化鋅納米線的光學性質

詳細內容: 分類：藍寶石長晶爐-鎢制品新聞; 發佈於：2013-11-27, 週三 09:43; 點擊數：1710

外延生長的習慣和缺陷氧化鋅納米線從盟催化劑(00.1)GaN /藍寶石襯底上使用vapor-liquid-solid(VLS)使用電子顯微鏡藍寶石晶體和x射線衍射技術進行了研究。結果顯示存在的水準(crawling-like)和垂直納米線有類似的取向與襯底的關係(00.1)氧化鋅| |甘(00.1),(11.0)氧化鋅| |甘[11.0]。crawling-like增長先於垂直增長,聚結和爬行生長納米線產生一個有嚴重缺陷的納米層之間襯底和垂直。透射電子顯微鏡顯示高密度平面缺陷的介面層。相當密度的堆積層錯駐留在(0001)飛機也觀察到納米短垂直。爬行納米線受到殘餘壓縮應變,而垂直納米strain-free生長。

合成了氧化鋅納米線,使用catalyst-assisted異質外延m-sapphire襯底碳熱還原的還原方法。取得了複雜而統一的陣列,每個納米線形成一個角∼30°的襯底正常。在室溫下光致發光研究波長之間的335和620海裏揭示一個強大的單一激子峰在∼380海裏(3.26 eV)伴隨深層藍移排放峰值∼486,490和510海裏。紫外共振拉曼光譜已經被用於描述納米線與多聲子散射在室溫下表現出聲子的量子限制。

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圓頂形的藍寶石晶體的由梯度凝固法

詳細內容: 分類：藍寶石長晶爐-鎢制品新聞; 發佈於：2013-11-26, 週二 09:28; 點擊數：1658

描述了藍寶石單晶的生長，在圓頂形狀，由梯度凝固法（GSM）。雙壁鉬坩堝被用於種植的近淨形狀的幾何形狀。藍寶石單晶體這顯著縮短圓頂到最終尺寸的製造過程，從而降低了成本。該過程被用於具有不同形狀（半球形等），大小（最大直徑6英寸）和晶體取向（包括光軸）生長圓頂。該熱場和生長速率的控制是預防晶粒邊界和散射中心的非常重要的，以及用於預防由表面張力的作用而產生的幾何失真。

梯度凝固法（GSM ）是適用於大型的，高品質的單晶藍寶石和氟化鈣的生長。幾種生長參數（例如，熱梯度，熱場的穩定性，生長速率和起始原料的品質）對生長的晶體的品質的相關性進行了研究。幾種類型的生長缺陷進行分析，其性質闡明。的結晶，其特徵在於通過其結晶性與光學特性。

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藍寶石單晶的梯度凝固法生長過程中介面形狀和熱場

詳細內容: 分類：藍寶石長晶爐-鎢制品新聞; 發佈於：2013-11-25, 週一 14:12; 點擊數：1223

提出了一種有限元模型描述了通過梯度凝固法的熔融生長的圓柱形的藍寶石單晶。這種模式的優點在於它能夠準確藍寶石單晶體地捕捉通過該系統與傳熱有關，而在它的計算需求依然疲弱複雜的物理現象。通過透明的晶相內部的輻射熱輸運占我們的配方，因為是流場在生長過程中不斷變化的熔體細節。這兩個浮力和表面張力梯度（馬蘭戈尼）驅動的對流效應考慮。結果表明，該熱場中的熔融/結晶介面形狀的電荷和操作參數，如晶體生長速率和爐內溫度梯度很強的依賴性。

具體來說，有了這個系統，再加上通過晶相增強輻射冷卻相關的大的潛熱值，導致一個戲劇性的減少介面曲率和位置相對較高的增長率和淺爐梯度。此外，對熱場的流體流動的影響的證明是不重要在本系統中，考慮到生長在大直徑相對的坩堝時也是如此。這裏報告的趨勢與實驗觀察總協定。

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熱火運輸和數值研究熔體和氣體的藍寶石提拉法晶體生長的播種過程中流體流動

詳細內容: 分類：藍寶石長晶爐-鎢制品新聞; 發佈於：2013-11-26, 週二 09:25; 點擊數：1673

為藍寶石的直拉單晶生長的籽晶的過程中，對流量和溫度場與不平的熔體-氣體介面數值用有限元方法進行了研究。藍寶石提拉法通常最初用在真正的直拉晶體生長過程中的配置包括一個坩堝，活躍後熱器，感應線圈有兩個部分，保溫，熔化，和天然氣。首先，由射頻（RF ）線圈在整個系統中和熱的體積分佈的金屬坩堝和熱器內所產生的電磁場進行了計算。使用這種熱量分佈作為源，流體流動和溫度場，在整個系統中進行測定。

已考慮兩種情況：

（ 1 ）配置無坩堝和後熱之間的差距

（ 2）有間隙，對應於我們的實驗室經常使用的增長態勢。

它表明，有源熱器，其位置相對於該坩堝的影響顯著的氣體在腔室中和部分也熔體中的溫度和流場。

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EFG藍寶石色帶異質外延矽襯底的生產

詳細內容: 分類：藍寶石長晶爐-鎢制品新聞; 發佈於：2013-11-25, 週一 14:10; 點擊數：1036

色帶異質外延矽襯底的生產方法被描述為藍寶石晶體的帶狀幾何形狀的邊緣限定薄膜供給生長（ EFG）技術的發藍寶石襯底展。色帶狀晶體生長以用作異質外延矽襯底。的裝置中，生長過程中，和所生長的帶狀的特徵進行了描述。三帶75毫米的寬度，同時增加。增長率為152和204毫米/小時之間。絲帶的高百分比是免費的非取向晶粒的。在主缺陷的特點是“片”微空隙通常5-25微米的直徑，和“分散式”微孔的直徑通常為0.5-2微米。無顯著差異在製作中的異質外延矽沉積在EFG和直拉生長的襯底設備觀察。

氮化鎵上使用開放管生長爐藍寶石襯底上的外延生長已進行了研究後的層的屬性襯底取向和輸送氣體的影響。已經發現，對於（0001 ）襯底，表面外觀幾乎是獨立的摻雜水準的載氣和的。對於（ 1 ¯ 102 ），而不是氫時，他是作為輸送氣體基材表面網格大大降低。當在GaN中摻雜有Zn和為（1 ¯ 102）襯底中Zn摻雜運行使用He作為傳輸氣體所獲得的最好的表面刻面也減少了。在電性能為（1 ¯ 102）襯底方面是最好的樣品具有流動性大於400平方釐米Ⅴ-1秒-1和大約2× 1017釐米-3載流子濃度。該樣本是未摻雜和使用他作為傳輸氣體。最好的（0001）的樣品也生長未摻雜與He作為輸送氣體，並且具有300cm2V -1秒-1下的流動性和在1× 18 cm -3以上載流子濃度。

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