藍寶石晶圓
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- 分類：藍寶石長晶爐-鎢制品新聞
- 發佈於：2014-02-13, 週四 13:39
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藍寶石晶片具有完整的定位選項，包括C面，A面，R面和M面，直徑範圍從1“到4 ” ，方形基片也可作為良好，尺寸
從10 ×10毫米到100 x 100毫米。基板生產按SEMI標准具有良好的表面粗糙度鐳 < 5A和高清潔度。藍寶石晶片是由提拉法生產的，由於它的高強度，高抗腐蝕高耐磨損，低介電損耗和良好的電絕緣性，單晶藍寶石晶片扮演的藍色LED與高Tc超導體的材料越來越重要的作用和微波應用。
厚的氮化鎵層使用這些層的同質外延襯底以提高激光二極管器件的質量或發光二極管的目的增加了氫化物氣相外延（HVPE ） ，HVPE是一層厚厚的發展是非常有用的因為增長率可以從幾十可達每小時百微米。在該實驗中，通過生長形成在氧化矽掩模開口開始作為選擇性生長。面由平面形成的早期階段和從這些方面對氧化矽掩模聚結開發的連續膜。因此，氮化鎵層，位錯密度低至6 ×107厘米2生長在2英寸直徑的藍寶石晶片。這些氮化鎵層是無裂紋和有鏡面般的表面。
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氮化鎵微型發光二極管陣列 單片集成微透鏡藍寶石
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- 發佈於：2014-02-12, 週三 11:29
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氮化鎵微發光二極管（微型LED）與單片集成微透鏡已被證實。微透鏡，具有44微米的焦距和均方根的〜 1nm的方
粗糙度，已被制作在微型LED的陣列的一個藍寶石襯底的拋光後表面由抗蝕劑熱回流和等離子體蝕刻。微透鏡的光學性質已經證明，以改變LED發射器的發射模式。光從這種混合裝置發出的錐顯著比傳統的廣泛區域的設備少發散。的微型發光二極管和微透鏡技術的結合提供了用於在基於氮化鎵的發光體的整體效率進一步提高的潛力。
基於單晶氮化鎵金屬半導體場效應晶體管（ MESFET ）的制備和表征。氮化鎵層是使用低pressuremetalorganic化學氣相沉積沉積在藍寶石襯底上。 MESFET器件是捏造的使用TiAu為源隔離的臺地和漏歐姆接觸和銀色的門肖特基。為具有4微米的柵極長度裝置（通道開放，即，源極到漏極的10μm的分離）， 23毫秒一個跨導/毫米是在-1 V柵極偏壓得到。觀察到-12 V的柵極電位完全夾斷。
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基於氮化鎵的發光二極管直接生長在藍寶石襯底上用全息地生成的二維光子晶體圖案
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- 發佈於：2014-02-11, 週二 11:20
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作為一種方法，以提高光提取從氮化鎵基發光二極管（LED），插入了亞微米周期光子晶體（PC）的圖案在氮化鎵
外延層和藍寶石襯底之間的界面。的600 - nm的周期的一種二維正方晶格柱陣列是由激光全息攝影和感應耦合等離子蝕刻的組合直接產生的到所述藍寶石襯底。一個標准的氮化鎵異質結構的LED上生長的納米圖案化的襯底，然後將其加工成現有技術的底部發光LED芯片的頂部上。在20mA的驅動電流時，PC -LED產生的表面法線的輸出功率比參考LED（沒有PC集成）高約40％。隨溫度變化的光致發光測量表明，發光增強是完全由集成PC模式的結構效應。
c面藍寶石襯底取向差角上的氮化鎵成核層有機金屬化學氣相沉積的影響。從c面藍寶石角度0.05°和0.30 °之間變化，偏向m平面軸。結構和光學表征技術展示表面形貌和氮化鎵成核層的結晶質量的改善為斜切角接近0.30 °。這些結果相關性良好，斜切角對全發光二極管結構。
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氨分子束外延生長氮化鋁的藍寶石襯底
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- 發佈於：2014-02-12, 週三 11:26
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氧化鋁表面氮化及由氨分子束外延（MBE）在藍寶石基板上的氮化鋁薄膜的隨後生長動力學進行了研究。氮化鋁的生長
過程中表面形貌演化研究了原位反射高能電子衍射和易地通過原子力顯微鏡。據發現，氮化鋁層表面厚度大於100 nm的有兩個主要特點：相當流暢的背景和小丘的明顯量。的生長條件下的AlN的表面形貌的影響進行了研究，以便找到一種方式，減小了小丘的密度。氮化的藍寶石表面與後續治療下氨氣流量對表面的修飾通過少量的鋁（ 1-2單層）的建議，生長改性表面層的氮化鋁表面形貌的改善是證明。
氮化鋁的單晶層被生長在藍寶石襯底1000和1100 ℃下的氯化鋁與氨的氣相反應之間。純度、顏色、結晶度、生長形態，並且外延層的電阻率進行了研究。紅外線鏡面反射的測量有可觀的應變在氮化鋁-藍寶石外延界面的存在。光吸收數據有力地表明在氮化鋁是一種直接帶隙材料具有約6.2eV的在室溫下的值。
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藍寶石襯底的等離子體預處理氮化鎵外延
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- 發佈於：2014-02-11, 週二 11:17
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分子束外延（MBE ）生長的氮化鎵的藍寶石上的層的晶體品質在很大程度上取決於膜的成核和生長的初始階段。因
此，預處理襯底是非常重要的。使用X-射線光電子能譜（XPS）和低能量電子衍射（LEED）原位研究為在退火後在超高真空和暴露於射頻（RF）表面清潔和c-面藍寶石襯底的氮化的情況下氫氣和氮氣等離子體的分離發現在氫等離子低溫（ 200-300 ℃）的熱處理提供有效的去除表面的外來汙染物違背了退火在真空中此外XPS數據後在氮等離子體熱處理形成表面氮化物在300-700 ℃下提供明確的證據，結論與從反射高能電子衍射（RHEED）推斷協議。表面氮化發現將保持穩定在隨後暴露於大氣中。
二次諧波產生的周期性極化氮化鎵由一階quasiphase匹配。在周期性極化結構中生長用等離子輔助分子束外延。觀察到約9 μW二次諧波功率從1658.6 nm的一個基本輸入激光的波長與12.76 ％的W -1厘米2的歸一化轉換效率。通過周期性極化和氮化鎵具有非常寬的透明窗口的事實來執行非線性波長變換，鋪路氮化鎵將用於非線性光學器件在電信以及一個非線性的光源，用於生化檢測在遠的能力紅外和遠紫外線。
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