氮化鎵基發光二極管（LED）上的圖案化藍寶石基板（ PSS）與圖案的複合二氧化矽/氧化鋁鈍化層和氧化鈦/氧化鋁分布布拉格反射器（DBR）反射鏡的背面已經提出並制造。高度鈍化的氧化鋁層上沉積銦錫氧化物（ITO）具有優良的均勻性和質量層已經實現了用原子層沉積（ALD）技術。以60毫安的電流注入， 21.6％ ， 59.7 ％ ，而在460毫微米波長的光輸出功率（LOP ）63.4 ％的增強，實現了用於LED的複合圖案的氧化矽/氧化鋁的鈍化層，在與圖案化的複合材料的氧化矽/氧化鋁的鈍化層和Ag反射鏡+ 3 - 對二氧化鈦/二氧化矽的DBR反射鏡的背面，並且LED指示燈用圖案化的複合二氧化矽/氧化鋁鈍化層和Ag +鏡3對ALD生長的二氧化鈦/氧化鋁的DBR反射鏡的背面與以往相比僅由單一的氧化矽鈍化層 。

定期三角棱錐陣列由一個低成本，高效率的激光幹涉光刻技術（ LIL ）系統成功制備在藍寶石襯底上。通過幹法刻蝕和濕法刻蝕技術相結合，所述納米級圖案化藍寶石基板（ NPSS ）具有均勻尺寸的准備。的圖案的周期為460nm的作為設計匹配的藍色光波長的發光二極管（LED） 。通過改善LIL系統的穩定性和優化的工藝參數，定義良好的三角形截棱錐陣列可以與50.8毫米直徑的藍寶石襯底上實現的。三角形截棱錐陣列的底部寬度的偏差為6.8 ％，這是接近3％的工業生產水平。


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該明確定義的和單晶藍寶石的可重複的電性能，使其對於微帶一個有吸引力的襯底材料，但是它的介電各向異性是一項重要的設計複雜化，對藍寶石基板單微帶線切斷與一個指定的方向准靜態特性。考慮到各向異性，一個新的介電常數參數epsilonreq被引入，這是Iinewidth的函數到基板高度的比W / H 。 epsilonreq與W / H的變化是由有限差分方法得出。萬向曲線微帶上正確地定向藍寶石呈現，表示1） epsilonreq ，2）低頻極限的有效介電常數微帶epsilone0 ，線Z 0 ，所有3個）的特性阻抗為W / H功能。

建立了一種矽薄膜的SiH4對單晶藍寶石的熱分解沉積發展。電子衍射和薄膜的勞厄反射檢查顯示了單晶圖案。矽膜具有135 cm²/volt-second霍爾遷移率在1017/cm³的孔密度。絕緣柵場效應晶體管具有1000 μmho在5毫安一個跨導為10 μ的源 - 漏間隔為120 μ的活性距離的尺寸而進行。此值可媲美作出體矽類似的單位，是非常令人鼓舞的薄膜矽設備的可能性。


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馬來西亞科學院Zaidee博士的稀土礦業演講。

國家輕稀土戰略收儲或9月啟動。

房改限購令：稀土業規劃。

中國發布稀土白皮書，回應價格操縱等疑問。

《哭泣的東江》第二集：瘋狂的稀土。

方正證券：關注稀土永磁。

央企“對掐”爭奪江蘇兩稀土公司。

早盤市場大幅下挫後午後情況有所改觀雖然指數仍收跌但是市場資金集中炒作稀土股和煤炭股，近期大勢震蕩題材炒作的情況或將繼續。