二硫化鎢納米片（WS₂納米片）是一種典型的二維納米材料，具有較大的比表面積、較低的摩擦係數、良好的電化學性能與光學性質等特點，在納米電子、光電器件、柔性電子、潤滑材料及化學催化等領域潛力巨大。那麼影響二硫化鎢納米片性能的因素有哪些呢？

鎢絲，作為一種擁有極高熔點、硬度和電導熱導性的金屬材料，不僅在工業、電子和航空航太領域佔據重要地位，近年來在醫療領域的應用也展現出獨特價值。

二硫化鎢納米片（WS₂納米片）作為典型的過渡金屬硫化物材料，是一種半導體材料，其晶體結構為六方晶系（空間群P6₃/mmc），每層由W原子層夾在兩層S原子層之間形成三明治結構。研究表明，單層WS₂具有約1.8eV的直接帶隙，這一特性使其在光電器件領域展現出優於間接帶隙半導體的量子效率；單層WS₂的室溫載流子遷移率可達100-300cm²/V・s，電子濃度約為1×10¹²cm⁻²，顯著優於傳統矽基材料。值得注意的是，WS₂納米片的電子遷移率呈現明顯的厚度依賴性，多層結構如10層的遷移率可降至50cm²/V・s以下，這與層間聲子散射增強密切相關。

氧化鎢是一種典型的過渡金屬氧化物，是一種常見的鎢化合物，化學式通常表示為WO₃，但在實際應用中，由於氧缺位現象的存在，其化學組成可能偏離理想的化學計量比，因此也常表示為WO₃₋ₓ（其中x在0和1之間）。這種氧缺位現象導致鎢在氧化鎢中可能呈現五價或四價，進一步豐富了其物理化學性質。