為了升高暖手寶的耐使用性能，有製造商表示其應選用品質較高的化學電池來作為備用電源。近幾年，隨著科學技術的不斷發展，市面上的新型電池也越來越多了，如鎢基電池、鉬基電池、矽基電池等。接下來，我們主要介紹的以氧化鎢粉末為鋰電池負極材料的蓄電池。

氮化鎵（GaN）是一種寬頻隙化合物半導體材料（禁帶寬度為3.4eV），具有發射藍光、高溫、高頻、高壓、大功率和耐酸、耐鹼、耐腐蝕等特點，是繼鍺、矽和砷化鎵之後最主要的半導體材料之一，常用來製作發光二極體。氮化鎵基發光二極體在光學存儲、鐳射列印、高亮度發光二極體以及無線基站等應用領域具有明顯的競爭優勢。

眾所周知，新一代的電子晶片將引領電子市場的變革。作為第二代和第三代半導體的主要代表，GaAs（砷化鎵）和GaN（氮化鎵）都屬於化合物半導體材料，均因為具有較好的耐高溫、高壓、高頻以及高電流密度性能的優勢，在衛星、高鐵、雷達、發電、輸變電、照明等領域中有著重要的地位。那GaAs與GaN晶片有什麼不同之處？

氮化鎵既是一種由氮和鎵組成的無機化合物，也是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。相對於矽電晶體來說，氮化鎵電晶體擁有更快的資料傳輸速度，這主要是因為氮化鎵具有較寬的直接帶隙、較強的原子鍵、較高的熱導率、良好的化學穩定性（幾乎不被任何酸腐蝕）以及優異的抗輻照性能等特點。