氧化鎢的應用十分廣泛，該材料的應用也集中在高密度和超高密度的存儲材料方面。氧化鎢作為一種過渡金屬氧化物，具有很強的拉曼散射能力，可用諧振腔探測器來探測這種拉曼位移信號。由於諧振腔探測器的線很窄，若在基片上製備出含有多種過渡金屬氧化物的混合膜，則用諧振腔探測器就可一次讀出混合膜中所有過渡金屬氧化物的拉曼位移信號，這將大大提高光存儲密度，最為常見的氧化物薄膜就數氧化鎢基薄膜。

有研究顯示，氧化鎢薄膜在短波長鐳射的作用下，能快速發生光色變化，其重要特點之一是載噪比高，例如當鐳射波長為532nm時氧化鎢基薄膜的反射率約為93%，其他薄膜的反射率為35%。氧化鎢基薄膜回應靈敏，寫入速度快，僅需2ns，由此可見，氧化鎢基薄膜的短波長一次寫入光記錄行為在速度和信號清晰度上都優於已有的無機或有機光存儲材料。
 

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檢測WO3/ZnO複合物光致變色性質，是通過取一定品質的合成產物，均勻地塗在載玻片上，放在紫外燈下照射2h，然後將粉末分散于無水乙醇中。利用紫外-可見光光度計測量合成產物光致變色前後其紫外光譜的變化。

首先，將ZnO摻雜量分為1%、3%、4%、5%、7%的WO3/ZnO複合物樣品分別置於紫外燈下照射2h，光照射前的合成產物是淡黃色的，照射後合成產物均變為藍色。用紫外-可見分光光度計進行了測定，合成產物的光致變色前後在最大吸收波長處的吸光度差值設為△OD，用△OD來表示合成產物的光致變色效率。

檢測結果显示：
△OD（1%）=0.85，△OD（3%）=0.98，△OD（4%）=1.22，△OD（5%）=1.73，△OD（7%）=1.10.隨著ZnO的摻雜品質增加，△OD的值逐漸增大，ZnO的摻雜品質為5%時，△OD的值為最大，也就是說光致變色回應度最強，但是，ZnO的摻雜品質為7%時，△OD的值降低，光致變色回應度減弱。
 

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氧化鎢是一種外觀呈黃色的斜方晶體，加熱時顏色變深，密度7.16，熔點1473℃。不溶于水和酸（除氫氟酸），能緩慢地溶於濃堿溶液。氧化鎢具有氣體敏感性，用於檢測二氧化氮，氨氣等有毒氣體的檢測。已經製備了氧化鎢薄膜氣敏感測器和氧化鎢的納米顆粒感測器，納米感測器的發現大大的提高了對於低濃度有毒氣體的檢測。氧化鎢基氣敏材料的研究最早見於報導1967年。當時是通過採用真空蒸發技術獲得鎢薄膜後，經600-700℃加熱氧化，制得氧化鎢薄膜。隨後用噴塗少量Pt的方法來增強氧化鎢對氫氣及含氫氣體（如：N2H4、NH3、H2S等）的氣體靈敏度。

當氧化鎢半導體暴露于空氣中時，會吸附空氣中的氧氣，在一定溫度下，氧氣會從半導體導帶中奪取電子形成化學吸附態的氧氣，從而使得氧化鎢半導體的電阻更大。當氧化鎢半導體與其他被測氣體接觸時，被測氣體也會以不用的途徑與氧化鎢交換電子，從而達到降低氧化鎢電阻實現靈敏檢測的目的。
 

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複合半導體的研究日益受到重視，複合半導體克服了單一半導體量子效率低的缺點，增加了材料的比表面，增加了活性位置，改善了光催化反應的動力學條件，擴展了光響應的範圍。目前，半導體複合研究正在向二元複合及多元複合方向發展。以下介紹二元複合物WO3/ZnO的製備方法。

首先按照品質百分含量為1%、3%、4%、5%、7%的比例，分別稱取一定品質的氯化鋅溶於0.1mol/L的NaOH溶液，攪拌1h使之反應完全，離心，得到白色絮狀沉澱，用蒸餾水、乙醇反復洗滌沉澱3-4次，制得Zn（OH）2溶液。接著稱取1.0000g鎢酸鈉溶於10mL蒸餾水，攪拌均勻，將2mL上述溶液逐滴滴入濃度為4mol/L的鹽酸中，攪拌2h使之反應完全，離心得到淡黃色沉澱，同樣用蒸餾水、乙醇反復洗滌沉澱3-4次，獲得H2WO4溶液。然後，將制得的Zn（OH）2溶液與H2WO4溶液再無水乙醇中混合，充分攪拌，離心，得到淡黃色的沉澱，在烘箱中60℃乾燥6h，得到WO3/ZnO複合物。


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