WO3用於非易失性儲存設備的最新研究

不久前,萊斯大學的James M. Tour課題組通過在室溫下進行陽極處理得到柔性納米多孔(NP)WO3−xRRAM。該課題組發現,這種柔性的NP WO3−x RRAM表現出雙極開關特徵和高Ion/Ioff比(大約為105);同時,這一設備具穩定的保持時間(超過5×105s)和極佳的元件間的均一性,並且在平面或最大彎曲條件下,其耐彎曲程度都超過103次迴圈。研究指明,柔性阻變記憶體(RRAM)在未來的非易失性記憶體上有著很大的應用前景,此次ACS Nano 柔性納米多孔WO3−x非易失性儲存設備的發現,成為三氧化鎢(WO3)在非易失性儲存設備中的最新研究,拓展了WO3的應用領域。
三氧化鎢用於非易失性儲存設備
另外,2015年中科大謝毅教授等在關於高性能柔性非易失性阻變記憶體的研究中取得新進展,合成出具有優異存儲特性的基於WO3•H2O超薄納米片並組裝成Cu/WO3•H2O/ITO-PET柔性非易失性阻變記憶體。該課題組還提出新型阻變存儲機理,有助於非易失性阻變存儲機理的進一步研究和發展。
 
拓展閱讀:非易失性儲存設備即非易失性儲存器,也即非易失性記憶體(Nonvolatile RAM,NVRAM),是指當電流關掉後,所存儲的數據不會消失者的電腦記憶體。非易失性記憶體中,依記憶體內的資料是否能在使用電腦時隨時改寫為標準,可分為二大類產品,即ROM和Flash memory。非易失性記憶體(nonvolatile memory)是所有形式的固態(沒有可動部分)記憶體的一個一般的術語,它不用定期地刷新記憶體內容,包括所有形式的唯讀記憶體(ROM),也包括電池供電的隨機存取儲存器(RAM)。
微信:
微博: