塗層硬質合金工藝

塗層硬質合金在原有的化學氣相沉積法（CVD）以及物理氣相沉積法（PVD）的基礎上加以改進，發展出了一些新的塗層技術。

5.等離子體化學氣相沉積法（Plasma Chemical Vapor Deposition， PCVD）

等離子體化學氣相沉積法（Plasma Chemical Vapor Deposition， PCVD）是通過利用等離子體中的帶電粒子的動能去激發氣相化學反應的。其基本原理就是在金屬基材表面上沉積一層氮化鈦（TiN）、碳氮化鈦（TiCN）、氮鋁化鈦（TiAlN）、氮矽化鈦（TiSiN）等具有高硬度和高耐磨性的硬質膜或超硬膜。PCVD法克服了傳統化學氣相沉積法（Chemical Vapor Deposition，CVD）沉積溫度高的缺點，可使得沉積溫度降至500-600℃，並在一定程度上減少了成膜的方向性，且塗層較為均勻。如今最新的PACVD法塗覆溫度已可降至180-200℃，且焊接性能良好，焊接部位不受任何影響，所以其較為適合於塗覆在焊接用硬質合金刀具以及模具的表面硬化處理。有實驗資料表明採用PCVD法塗層的硬質合金鑽頭與普通的高速鋼鑽頭相比，加工鋼材時其工作效率得到了明顯的提升，各項綜合性能（耐磨性以及耐腐蝕性）大幅度得到提高，且使用壽命延長了近十倍。

6.真空陰極電弧沉積法（Vacuum Cathodic Arc Deposition， VCAD）

真空陰極電弧沉積法（Vacuum Cathodic Arc Deposition， VCAD）是通過利用陰極電弧將靶材蒸發離解，並在負偏壓作用下沉積的方法，其具有沉積溫度低、沉積速率快、沉積覆蓋面積大、離子能量高、離化率高、膜層與基材結合力好、操作方便、設備簡單等優點，可廣泛運用於一些超硬氮化鈦（TiN）、碳化鈦（TiC）膜層的沉積。有實驗研究在原真空陰極電弧沉積超硬TiN薄膜優化工藝的基礎上，用鈦鋁合金靶材代替鈦靶材沉積性能更為優異的（Ti，Al）N薄膜，這對推動（Ti，Al）N薄膜工業化生產有著重要的研究意義。此外，VCAD法除了應用在一些高品質的金屬薄膜外，還可適用於Ta-C、光學薄膜、透明導電氧化物薄膜、氮化物多層膜、納米複合膜、MAX相等多種膜層的沉積。