三氧化鎢納米薄膜的製備

近年來，三氧化鎢被認爲是製備是用來檢測NO_X，NH₃，以及O₃的最好氣敏材料之一，納米結構的三氧化鎢薄膜的性使得薄膜的特性得到明顯的改善。而采用納米結構的三氧化鎢薄膜作爲傳感器，靈敏度也能得到顯著的提高。納米三氧化鎢薄膜的製備方法如下：
1.首先在拋光的Si上用PECVD法生長一層Si₃N₄，在Si₃N₄表面濺射叉指向Pt電極，再在其上用直流反應磁控濺射法沉積1500A的WO3薄膜。
2.爲了得到良好穩定性能的半導體WO₃薄膜，在不同溫度下進行兩步熱處理。首先先將薄膜在300℃下處理6h，隨路冷却至室溫。
3.然後將前一步經過熱處理的薄膜在600℃下進行第二次熱處理，時間爲12小時，得到WO₃氣敏原件。

 

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