氣相法製備納米氧化鎢

氣相法生長晶體，就是將擬生長的晶體材料通過昇華、蒸發、分解等過程轉化為氣相，然後通過適當條件下使它成為飽和蒸氣，經冷凝結晶而生長成晶體。

氣相法晶體生長的特點是：生長的晶體純度高；生長的晶體完整性好；晶體生長速度慢；有一系列難以控制的因素，如溫度梯度、過飽和比、攜帶氣體的流速等。目前，氣相法主要用於晶須生長和外延薄膜的生長（同質外延和異質外延），而生長大尺寸的塊狀晶體有其不利之處。氣相法主要可以分為兩種：物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition, PVD）：用物理凝聚的方法將多晶原料經過氣相轉化為單晶體，如昇華-凝結法、分子束外延法和陰極濺射法；化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD）：通過化學過程將多晶原料經過氣相轉化為單晶體，如化學傳輸法、氣體分解法、氣體合成法和MOCVD法等。

目前氣相法是製備納米氧化鎢極其重要的方法之一。氣相法是使用氣體為原料在氣相流中利用一些物質可以發生化學反應，形成的基本粒子再經過成核、通過生長兩個階段來合成粒子、晶須或晶體等工藝過程來合成納米材料，這種方法操作比較簡單，使用成本低，同時可以製備出純度較高，樣品顆粒分散性很好的納米材料，同時又由於該樣品具有功能多樣性、工藝操作可控性和生產過程連續性等一些獨特的優點因此可以利用這種方法進行大規模的製備納米材料。同時由於此種方法還可以在遠低於材料的溶點的溫度下來合成納米材料，但是由於這種合成納米材料的方法，需要反應器內溫度所變的梯度小，所合成的粒子有較大的粒度，樣品的團聚比較嚴重，溫度不是很適宜還容易發生燒結現象，因此利用此種方法合成納米材料有很大的局限性。鎢粉在高溫下發生了一些相變反應進而變為W18O29。而W粉又被氧化為WO2,同時在反應過程中產生了大量的熱放出的大量的熱是溫度升高從而使氣化的W18O29又被進一步的氧化。

 

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