限制空間法制得的單層WS2薄膜呈三角形狀,具備大面積、大尺寸、高品質等特點,這不僅是單層WS2在大範圍內大尺寸生長的一大突破,也為其他TMDs材料單層薄膜的相關製備提供了參考。
限制空間法有效調控鎢粉和硫粉兩種源粉的比例,將兩種源粉蒸汽局域在兩片SiO2/Si襯底之間進行反應,進而沉積,從而制得單層WS2薄膜。該種方法制得單層WS2薄膜,具備以下特點:
自2004年石墨烯被成功剝離之後,具備相同層狀結構的過渡金屬硫屬化合物(TMDs)二維材料的製備引起了科研界的研究熱潮。單層二硫化鎢是被研究的較為廣泛的一種材料。
限制空間法在二氧化矽/矽(SiO2/Si)襯底上製備取得了大面積、大尺寸、高品質的單層二硫化鎢薄膜,有效克服了單層WS2薄膜製備過程中形狀難以調控的問題,為其他TMDs單層薄膜材料的大面積、大尺寸、高品質生長提供借鑒。
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