限制空間法單層WS2薄膜

限制空間法制得的單層WS₂薄膜呈三角形狀，具備大面積、大尺寸、高品質等特點，這不僅是單層WS₂在大範圍內大尺寸生長的一大突破，也為其他TMDs材料單層薄膜的相關製備提供了參考。

限制空間法有效調控鎢粉和硫粉兩種源粉的比例，將兩種源粉蒸汽局域在兩片SiO₂/Si襯底之間進行反應，進而沉積，從而制得單層WS₂薄膜。該種方法制得單層WS₂薄膜，具備以下特點：

1. 單層二硫化鎢薄膜以三角形為主。限制空間，主要是將兩種源粉蒸汽局域在兩片襯底之間進行反應，進而沉積。在這種製備條件下，鎢源蒸汽需要繞過底部進入到兩片襯底之間。研究人員通過改變鎢源源粉的路徑，使得在鎢源源粉蒸發初期，硫源源源粉還未來得及大量到達襯底之間時，限制了鎢源源粉到達襯底之間的量。
2. 單層二硫化鎢薄膜表面清潔乾淨，具備較高的結晶品質。
3. 單層二硫化鎢薄膜厚度均勻。
4. 單層二硫化鎢薄膜尺寸較大、面積較大。薄膜尺寸隨生長時間可控，最大尺寸可達500μm。當生長時間繼續延長時，獨立的單層二硫化鎢薄膜互相連接，形成連續薄膜，面積大大增大。

自2004年石墨烯被成功剝離之後，具備相同層狀結構的過渡金屬硫屬化合物（TMDs）二維材料的製備引起了科研界的研究熱潮。單層二硫化鎢是被研究的較為廣泛的一種材料。

限制空間法在二氧化矽/矽（SiO₂/Si）襯底上製備取得了大面積、大尺寸、高品質的單層二硫化鎢薄膜，有效克服了單層WS₂薄膜製備過程中形狀難以調控的問題，為其他TMDs單層薄膜材料的大面積、大尺寸、高品質生長提供借鑒。

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